基本信息:
- 专利标题： 一种新型大晶粒ACZTS吸收层的制备方法
- 申请号：CN202011092523.5 申请日：2020-10-13
- 公开(公告)号：CN112301387B 公开(公告)日：2022-11-01
- 发明人： 李微 , 王延平 , 毕金莲 , 王姣 , 李浩然 , 王媛
- 申请人： 天津理工大学
- 申请人地址： 天津市西青区宾水西道391号
- 专利权人： 天津理工大学
- 当前专利权人： 天津理工大学
- 当前专利权人地址： 天津市西青区宾水西道391号
- 代理机构： 太原倍智知识产权代理事务所
- 代理人： 张宏
- 主分类号： C25D3/46
- IPC分类号： C25D3/46 ; C25D5/48 ; C25D5/54 ; C23C26/00 ; H01L31/032
摘要：
本发明涉及一种制备大晶粒ACZTS吸收层的方法，属于薄膜太阳电池技术领域，对镀双层结构Mo背电极的钠钙玻璃衬底进行清洗；用电解质溶液在双层结构的Mo背电极上沉积Ag层并进行超声处理；以(CH3COO)2Cu·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O、CH4N2S为溶质，以二甲基甲酰胺为溶剂，配置沉积Ag层所需的前驱体溶液；前驱体溶液通过旋涂法在Ag层上制备前驱体薄膜；在N2气氛下，将前驱体薄膜放置在退火炉中进行退火处理，制备大晶粒(Agx,Cu1‑x)2ZnSnS4吸收层。Ag的掺入有利于减少光生载流子的复合几率；改善CZTS薄膜的致密程度和结晶程度，提高了CZTS吸收层在Mo上的附着能力，减少了CZTS吸收层底部的细碎晶粒，减少了界面处晶界的复合程度。
公开/授权文献:
- CN112301387A 一种新型大晶粒ACZTS吸收层的制备方法 公开/授权日：2021-02-02