基本信息:
- 专利标题： 一种介质阻挡放电调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的方法
- 申请号：CN202011277040.2 申请日：2020-11-16
- 公开(公告)号：CN112299496A 公开(公告)日：2021-02-02
- 发明人： 王召 , 郑静轩 , 侯宝红 , 尹秋响 , 龚俊波 , 郝红勋
- 申请人： 天津大学
- 申请人地址： 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人： 天津大学
- 当前专利权人： 天津大学
- 当前专利权人地址： 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构： 天津市尚文知识产权代理有限公司
- 代理人： 黄静
- 主分类号： C01G53/00
- IPC分类号： C01G53/00 ; C01G51/00 ; C01G1/02
摘要：
本发明提供了一种介质阻挡放电调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的方法，步骤包括：将反应试剂混合置于等离子体反应釜中；将反应釜置于等离子发生电极之间；向反应釜中通入等离子体发生气；调节等离子体发生装置工作电压，在工作电极上产生工作电压及工作电流，击穿等离子体发生气，产生等离子体，作用于反应试剂；将所得产物进行洗涤和干燥。通过调整反应试剂种类、离子体发生气的种类、处理功率或处理时间中至少一项参数，调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的浓度。本发明的有益效果在于，可以直接对尖晶石金属氧化物表面进行修饰，引入可控目标浓度的阴阳离子缺陷，显著提升尖晶石电化学催化活性，操作简单、短时高效、环保。
公开/授权文献:
- CN112299496B 一种介质阻挡放电调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的方法 公开/授权日：2022-01-18