基本信息:
- 专利标题： 锗硅源漏结构及其制造方法
- 申请号：CN202011037590.7 申请日：2020-09-28
- 公开(公告)号：CN112201691A 公开(公告)日：2021-01-08
- 发明人： 颜强 , 黄秋铭 , 谭俊 , 周海锋
- 申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
- 专利权人： 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 郭四华
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/08 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了一种锗硅源漏结构，包括：形成于半导体基体中的凹陷；在凹陷的内侧表面形成有锗硅种子层；锗硅主体层形成于锗硅种子层上并将凹陷完全填充；硅固化层形成在锗硅主体层表面，锗硅主体层和硅固化层采用不间断的外延生长形成，以实现对锗硅主体层的形貌固化，从而防止锗硅主体层顶部表面直接暴露时由高温而产生的形貌变化；在硅固化层的表面形成有盖帽层。本发明还公开了一种锗硅源漏的制造方法。本发明能使锗硅主体层的形貌得到很好的控制，能提高器件的性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |