基本信息:
- 专利标题： 用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法
- 申请号：CN202011008913.X 申请日：2020-09-23
- 公开(公告)号：CN112186041A 公开(公告)日：2021-01-05
- 发明人： 钱佳成 , 刘秀勇 , 陈正嵘 , 陈广龙 , 吴长明
- 申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
- 专利权人： 华虹半导体(无锡)有限公司
- 当前专利权人： 华虹半导体(无锡)有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 戴广志
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/336 ; H01L21/28
摘要：
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法。其中T器件包括：衬底层，所述衬底层中形成栅结构，所述栅结构从所述衬底层的上表面向下延伸，在所述栅结构两侧的所述衬底层中，分别形成源极和漏极；所述栅结构包括：屏蔽栅结构，所述屏蔽栅结构包括屏蔽栅介电层，和，包围所述屏蔽栅介电层下部外周的场板氧化层；所述屏蔽栅结构的上部两侧分别形成控制栅结构，所述控制栅结构的外周形成第一热氧化层，所述第一热氧化层的外周形成第二热氧化层。用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法，可以解决相关技术中晶圆翘曲的问题。
公开/授权文献:
- CN112186041B 用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法 公开/授权日：2022-08-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |