
基本信息:
- 专利标题: 用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法
- 申请号:CN202011008913.X 申请日:2020-09-23
- 公开(公告)号:CN112186041A 公开(公告)日:2021-01-05
- 发明人: 钱佳成 , 刘秀勇 , 陈正嵘 , 陈广龙 , 吴长明
- 申请人: 华虹半导体(无锡)有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
- 专利权人: 华虹半导体(无锡)有限公司
- 当前专利权人: 华虹半导体(无锡)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
- 代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人: 戴广志
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/336 ; H01L21/28
摘要:
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法。其中T器件包括:衬底层,所述衬底层中形成栅结构,所述栅结构从所述衬底层的上表面向下延伸,在所述栅结构两侧的所述衬底层中,分别形成源极和漏极;所述栅结构包括:屏蔽栅结构,所述屏蔽栅结构包括屏蔽栅介电层,和,包围所述屏蔽栅介电层下部外周的场板氧化层;所述屏蔽栅结构的上部两侧分别形成控制栅结构,所述控制栅结构的外周形成第一热氧化层,所述第一热氧化层的外周形成第二热氧化层。用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法,可以解决相关技术中晶圆翘曲的问题。
公开/授权文献:
- CN112186041B 用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法 公开/授权日:2022-08-16
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件 |
--------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
------------H01L29/70 | ...双极器件 |
--------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |