![一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法](/CN/2020/1/191/images/202010957924.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法
- 申请号:CN202010957924.6 申请日:2020-09-11
- 公开(公告)号:CN112180174B 公开(公告)日:2021-08-13
- 发明人: 武康宁 , 李建英 , 王瑶 , 侯宗克 , 郭璊 , 李盛涛
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市咸宁西路28号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理人: 姚咏华
- 主分类号: G01R27/26
- IPC分类号: G01R27/26
摘要:
本发明公开一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法,包括:1)将试样加热或冷却至起始测试温度;设置直流偏置电压,使得试样的电场强度为0V/mm并保持第一设定时间后撤去直流偏置电压,测量试样在设定的交流信号下的频域介电谱,随后按照设定升温速率升温,不间断测量试样的频域介电谱直到试样温度达到预设的结束测试温度,获得试样的第一频域介电谱;2)重复步骤1)将电场强度调制为n V/mm,获得试样的第二频域介电谱;3)第二频域介电谱减去第一频域介电谱,得到压敏陶瓷界面态响应曲线;其中,n小于试样的击穿场强。本发明的测试结果可以很好的表征出试样界面态响应的特性,是测试背靠背势垒界面态响应的一种有效方法。
公开/授权文献:
- CN112180174A 一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法 公开/授权日:2021-01-05