基本信息:
- 专利标题： 一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料、制备方法及应用
- 申请号：CN202011022314.3 申请日：2020-09-25
- 公开(公告)号：CN112159223A 公开(公告)日：2021-01-01
- 发明人： 蒲永平 , 李润 , 张倩雯 , 杜欣怡 , 陈敏
- 申请人： 陕西科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学
- 专利权人： 陕西科技大学
- 当前专利权人： 陕西科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学
- 代理机构： 西安西达专利代理有限责任公司
- 代理人： 郭秋梅
- 主分类号： C04B35/468
- IPC分类号： C04B35/468 ; C04B35/622 ; C04B41/88 ; B28B3/00 ; H01G4/12
摘要：
一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料、制备方法及应用。一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料。制备方法为：将BaTiO3、Na0.5Bi0.5TiO3和Ba2NaNb5O15粉体按化学式(1‑x)(0.85BaTiO3‑0.15Bi0.5Na0.5TiO3)‑xBa2NaNb5O15配比取料，对粉体进行湿法球磨混合，干燥后的粉体在1000℃下预烧2h，再经过二次球磨、过筛和成型，最终在1250℃温度下烧结2h得到了所需介电陶性得瓷材到明料显。随的着提B高a2，N当axN=b05.O00157掺时入，样量品的在增‑加50，oC材到料1的50o温C度之稳间定的容温变化率在 15%之间，介电常数大于2200，介电损耗小于0.05。
公开/授权文献:
- CN112159223B 一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料、制备方法及应用 公开/授权日：2022-06-07