基本信息:
- 专利标题： 用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的高电压生成的方法和设备
- 申请号：CN201980029361.X 申请日：2019-04-08
- 公开(公告)号：CN112106140A 公开(公告)日：2020-12-18
- 发明人： H·V·特兰 , A·李 , T·乌 , S·洪 , V·蒂瓦里 , N·多
- 申请人： 硅存储技术股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人： 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 陈斌
- 优先权： 62/665,359 2018.05.01 US
- 国际申请： PCT/US2019/026409 2019.04.08
- 国际公布： WO2019/212699 EN 2019.11.07
- 进入国家日期： 2020-10-30
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10 ; G11C16/30 ; G11C16/12 ; G11C16/34
摘要：
本发明公开了用于生成深度学习人工神经网络中使用的模拟神经存储器中特定编程操作所必需的高电压的高电压生成算法和系统的多个实施方案。还公开了不同的校准算法和系统。任选地，可利用补偿措施，补偿措施在正被编程的单元的数量改变时补偿电压或电流的变化。
公开/授权文献:
- CN112106140B 用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的高电压生成的方法和设备 公开/授权日：2024-11-29
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/10 | ...编程或数据输入电路 |