基本信息:
- 专利标题： 存储器单元及其形成方法
- 申请号：CN201910510900.3 申请日：2019-06-13
- 公开(公告)号：CN112086556A 公开(公告)日：2020-12-15
- 发明人： 林大钧 , 蔡滨祥 , 洪雅娟 , 杨晋嘉 , 简廷安
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L27/24
摘要：
本发明公开一种存储器单元及其形成方法，其中该存储器单元包含一第一导电线、一底电极、一纳米碳管层、一中间电极、一电阻层、一顶电极以及一第二导电线。第一导电线设置于一基底上。底电极设置于第一导电线上。纳米碳管层设置于底电极上。中间电极设置于纳米碳管层上，因而底电极、纳米碳管层以及中间电极构成一纳米管存储器部分。电阻层设置于中间电极上。顶电极设置于电阻层上，因而中间电极、电阻层以及顶电极构成一电阻存储器部分。第二导电线设置于顶电极上。
公开/授权文献:
- CN112086556B 存储器单元及其形成方法 公开/授权日：2024-03-15