基本信息:
- 专利标题： 一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法
- 申请号：CN202010911231.3 申请日：2020-09-02
- 公开(公告)号：CN112083470B 公开(公告)日：2023-11-24
- 发明人： 黎淼 , 王巍 , 樊琦 , 赵汝法 , 霍军
- 申请人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
- 申请人地址： 重庆市涪陵区鹤滨路22号
- 专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
- 当前专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 重庆市涪陵区鹤滨路22号
- 代理机构： 重庆启恒腾元专利代理事务所
- 代理人： 黎志红
- 主分类号： G01T1/24
- IPC分类号： G01T1/24 ; G01T1/36 ; H01L31/08
摘要：
本发明请求保护一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制备方法，其特征在于，从上至下依次包括：Au电极阴极电极层、高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层、双层氧化钒VOx材料层、Ti/Pt阳极电极层及Ti/Pt电极读出电极层，其中，当高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层接受辐射后产生感应电荷信号时，感应电荷信号在双层氧化钒VOx材料层的上下电极形成相应电场，所形成的电场随入射光子能量发生变化，氧化钒VOx材料层薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致氧化钒VOx材料层相对厚度发生改变，使得Ti/Pt电极读出电极层读出的电阻值产生变化。本发明能够
公开/授权文献:
- CN112083470A 一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法 公开/授权日：2020-12-15