基本信息:
- 专利标题： 一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控制方法
- 申请号：CN201910358226.1 申请日：2019-04-30
- 公开(公告)号：CN111948505A 公开(公告)日：2020-11-17
- 发明人： 王蓓蓓 , 栾洪洲 , 朱宁辉 , 张良 , 王轩 , 董亮 , 燕翚 , 刘道民 , 张彬
- 申请人： 中电普瑞科技有限公司 , 南瑞集团有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区南邵镇南中路16号
- 专利权人： 中电普瑞科技有限公司,南瑞集团有限公司
- 当前专利权人： 中电普瑞科技有限公司,南瑞集团有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区南邵镇南中路16号
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26
摘要：
本发明一种用于测试GaN功率器件输出特性的电路及控制方法，所述电路包括：隔离驱动芯片、GaN功率开关器件VT1、第一RC吸收保护电路、电感L、驱动磁珠FZB、电阻R、待测GaN功率开关器件VT2、第二RC吸收保护电路、直流电源Vd和高隔离电源；本发明提供的电路，可以在一个很小的工装板上实现GaN功率器件输出特性的测试，能够有效避免控制信号和主线路连接线带来的电磁干扰和寄生参数，提高测试结果的准确性。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |