![一种长寿命中子吸收材料](/CN/2020/1/142/images/202010714581.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种长寿命中子吸收材料
- 申请号:CN202010714581.0 申请日:2020-07-21
- 公开(公告)号:CN111933313B 公开(公告)日:2023-06-02
- 发明人: 卢俊强 , 陈向阳 , 毕光文 , 丁谦学 , 刘婵云 , 许志红 , 范武刚 , 张兆泉
- 申请人: 上海核工程研究设计院有限公司 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市徐汇区虹漕路29号;
- 专利权人: 上海核工程研究设计院有限公司,中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 上海核工程研究设计院有限公司,中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市徐汇区虹漕路29号;
- 代理机构: 上海政济知识产权代理事务所
- 代理人: 辇甲武
- 主分类号: G21C7/24
- IPC分类号: G21C7/24
摘要:
本发明的目的在于公开一种长寿命中子吸收材料,它由名义组分为(Tbx,Dy2‑x)HfO5(1.3≤x≤1.95)的分散粉体、高致密度块状或圆柱状物体构成;与现有技术相比,具有立方萤石结构,物理化学性质稳定,抗腐蚀性能良好,辐照肿胀小。熔点高于1500℃,室温到熔化过程无相变,使用温度限值明显高于Ag‑In‑Cd合金(熔点800℃),热工安全裕量更大,中子吸收价值显著提升,损耗速率显著减缓,实现本发明的目的。
公开/授权文献:
- CN111933313A 一种长寿命中子吸收材料 公开/授权日:2020-11-13