基本信息:
- 专利标题： 一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法
- 申请号：CN202010652114.X 申请日：2020-07-08
- 公开(公告)号：CN111883608B 公开(公告)日：2022-06-03
- 发明人： 王磊 , 肖希 , 陈代高 , 胡晓 , 张宇光 , 李淼峰 , 余少华
- 申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层;
- 专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司,武汉邮电科学研究院有限公司
- 当前专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司,武汉邮电科学研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层;
- 代理机构： 武汉智权专利代理事务所
- 代理人： 孟欢
- 主分类号： H01L31/107
- IPC分类号： H01L31/107 ; H01L31/18
摘要：
本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。
公开/授权文献:
- CN111883608A 一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法 公开/授权日：2020-11-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/10 | ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管 |
| ------------H01L31/101 | ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件 |
| --------------H01L31/102 | ....仅以一个势垒或面垒为特征的 |
| ----------------H01L31/107 | .....以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管 |