基本信息:
- 专利标题： 用于IGBT驱动退饱和保护功能的测试电路和其模拟测试方法
- 申请号：CN202010581613.4 申请日：2020-06-23
- 公开(公告)号：CN111736054A 公开(公告)日：2020-10-02
- 发明人： 蔡希鹏 , 胡四全 , 范彩云 , 何青连 , 韩坤 , 胡亮 , 任成林 , 胡雨龙 , 周竞宇 , 张志刚 , 马俊杰 , 张磊 , 胡学彬 , 司志磊
- 申请人： 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司 , 许继集团有限公司 , 许继电气股份有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市黄埔区高新技术产业开发区科学大道223号
- 专利权人： 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司,许继集团有限公司,许继电气股份有限公司
- 当前专利权人： 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司,许继集团有限公司,许继电气股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市黄埔区高新技术产业开发区科学大道223号
- 代理机构： 北京中政联科专利代理事务所
- 代理人： 朱晓娟
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26
摘要：
本发明涉及一种IGBT驱动退饱和保护功能的测试电路和其模拟测试方法，通过在IGBT一直工作在饱和区且IGBT集电极电流在安全电流的情况下，通过一个辅助电子开关把IGBT的母线电压直接接入驱动的电压采样回路，模拟IGBT在安全电流下进入退饱和工作状态，从而验证驱动能否在规定的时间内正确关断IGBT的功能。本发明避免驱动在IGBT为大电流退饱和情况下(此时IGBT端电压进入母线电压)进行保护功能的测试，避免了IGBT在退饱和情况下因为驱动保护不及时造成IGBT过热或过电压损坏的风险。可广泛应用于驱动退饱和功能的常规测试项目。
公开/授权文献:
- CN111736054B 用于IGBT驱动退饱和保护功能的测试电路和其模拟测试方法 公开/授权日：2022-09-16
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |