基本信息:
- 专利标题： 一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构
- 申请号：CN202010558387.8 申请日：2020-06-18
- 公开(公告)号：CN111710746A 公开(公告)日：2020-09-25
- 发明人： 寿春晖 , 闫宝杰 , 曾俞衡 , 盛江 , 叶继春 , 丁莞尔 , 郑晶茗
- 申请人： 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 申请人地址： 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路2159-1号1幢5楼
- 专利权人： 浙江浙能技术研究院有限公司,中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人： 浙江浙能技术研究院有限公司,中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路2159-1号1幢5楼
- 代理机构： 杭州九洲专利事务所有限公司
- 代理人： 张羽振
- 主分类号： H01L31/0725
- IPC分类号： H01L31/0725 ; H01L31/0747 ; H01L51/42
摘要：
本发明涉及一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构，包括：底电池和钙钛矿顶电池；所述底电池为晶硅类-PERC底电池或晶硅类-PERT底电池；所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿电池载流子传输层A、钙钛矿吸收层、钙钛矿电池载流子传输层B、透明导电膜和顶电极栅线；所述顶电极栅线位于透明导电膜顶部。本发明的有益效果是：这种钙钛矿/晶硅类-PREC或钙钛矿/晶硅类-PERT可以利用目前晶硅PREC或PERT太阳电池的生产线，只需做少量的改进，即可制备出良好的底电池，提高太阳电池效率，降低钙钛矿/晶硅叠层电池的生产成本；本结构可以形成可靠的全表面隧穿结接触，无整流效应；制备工艺完全兼容现有硅电池生产方法，可全表面均匀制备，工艺简单，可靠性强。
公开/授权文献:
- CN111710746B 一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构 公开/授权日：2022-03-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/072 | ...只是PN异质结型势垒的 |
| --------------H01L31/0725 | ....多结或叠层太阳能电池 |