基本信息:
- 专利标题： 半导体装置
- 申请号：CN201880088719.1 申请日：2018-02-06
- 公开(公告)号：CN111699560B 公开(公告)日：2024-04-30
- 发明人： 竹本圭佑 , 林哲也 , 倪威 , 丸井俊治 , 田中亮太 , 山上滋春
- 申请人： 日产自动车株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 日产自动车株式会社
- 当前专利权人： 日产自动车株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 张劲松
- 国际申请： PCT/JP2018/003893 2018.02.06
- 国际公布： WO2019/155504 JA 2019.08.15
- 进入国家日期： 2020-08-06
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L21/338 ; H01L29/778 ; H01L29/812
摘要：
半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。
公开/授权文献:
- CN111699560A 半导体装置 公开/授权日：2020-09-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |