专利号CN201980012078.6 | 氧化铝的保护液、保护方法和使用了其的具有氧化铝层的半导体基板的制造方法

摘要：

本发明涉及氧化铝保护液、氧化铝的保护方法和使用了其的具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的氧化铝保护液的特征在于，其含有0.0001～20质量％的碱土金属化合物，前述碱土金属为选自由铍、镁、锶和钡组成的组中的1种以上。通过本发明，在半导体电路的制造工序中，能够抑制氧化铝的腐蚀。

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/314	......无机层
--------------------H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层

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