基本信息:
- 专利标题： 金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法
- 申请号：CN202010667755.2 申请日：2020-07-13
- 公开(公告)号：CN111682085B 公开(公告)日：2022-06-07
- 发明人： 郑标 , 王军 , 黄春雷 , 杨威 , 李玉良
- 申请人： 闽江学院
- 申请人地址： 福建省福州市闽侯县上街镇溪源宫路200号
- 专利权人： 闽江学院
- 当前专利权人： 闽江学院
- 当前专利权人地址： 福建省福州市闽侯县上街镇溪源宫路200号
- 代理机构： 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理人： 丘鸿超; 蔡学俊
- 主分类号： H01L31/055
- IPC分类号： H01L31/055 ; B82B3/00 ; B82Y20/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明提出一种金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法，首先，设计了一种具有单模、窄线宽、高品质因子的表面晶格共振峰的金纳米阵列衬底，在此基础上，构筑阵列衬底与近红外量子剪裁发光材料的复合结构，利用高度局域化的表面晶格共振增强特定波长的三光子近红外量子剪裁发光。该发明的制备工艺简单、操作方便、成本较低，能够提供一种高效的太阳能电池光转换片，提高太阳能电池的光电转换效率，适宜推广。
公开/授权文献:
- CN111682085A 金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法 公开/授权日：2020-09-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/052 | ...具有冷却、反光或集光装置的 |
| --------------H01L31/055 | ....在光吸收处，由集光体，如由发光材料，再发射不同波长的光 |