基本信息:
- 专利标题： 受催化剂影响的图案转移技术
- 申请号：CN201880088011.6 申请日：2018-11-09
- 公开(公告)号：CN111670493B 公开(公告)日：2024-06-28
- 发明人： 希德加塔·V·斯林瓦森 , 阿克希拉·马拉瓦拉普 , 希拉旺·辛格尔 , 劳伦斯·R·邓恩 , 布莱恩·高利克
- 申请人： 德克萨斯大学系统董事会
- 申请人地址： 美国德克萨斯州奥斯汀
- 专利权人： 德克萨斯大学系统董事会
- 当前专利权人： 德克萨斯大学系统董事会
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州奥斯汀
- 代理机构： 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 关越
- 国际申请： PCT/US2018/060176 2018.11.09
- 国际公布： WO2019/108366 US 2019.06.06
- 进入国家日期： 2020-07-28
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/78
摘要：
本技术的多个实施方案总体上涉及半导体器件架构和制造技术。更具体地，本技术的一些实施方案涉及使用受催化剂影响的化学蚀刻技术的硅蚀刻，并将其应用于三维存储器架构和晶体管。CICE是一种基于催化剂的蚀刻方法，可以用于半导体以及半导体的多层结构。CICE工艺的各种实施方案可以使用催化剂来蚀刻半导体基板并制造高纵横比特征。还公开了用于该目的的制造工具。这将使得在制造半导体器件时能够采用该技术。
公开/授权文献:
- CN111670493A 受催化剂影响的图案转移技术 公开/授权日：2020-09-15
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |