基本信息:
- 专利标题： 一种用于超级电容器的晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法
- 申请号：CN202010376302.4 申请日：2020-05-07
- 公开(公告)号：CN111540609A 公开(公告)日：2020-08-14
- 发明人： 姜晶 , 胡娅林 , 李志鹏 , 何欣芮 , 牛夷 , 周婷 , 王超
- 申请人： 电子科技大学
- 申请人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构： 电子科技大学专利中心
- 代理人： 陈一鑫
- 主分类号： H01G11/24
- IPC分类号： H01G11/24 ; H01G11/26 ; H01G11/30 ; H01G11/46
摘要：
本发明公开了一种用于超级电容器的晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法,涉及复合材料及制备技术，特别是超级电容器电极材料技术领域。该材料为晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料，是晶态的MoO3、非晶态的Ni3S2、泡沫镍的混合物，以泡沫镍为自支撑基底和镍源，再起表面原位生成晶态Ni3S2纳米薄片，再在晶态Ni3S2纳米薄片上进一步合成非晶态的MoO3，获得晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料，晶态Ni3S2纳米薄片阵列排布于泡沫镍为自支撑基底表面，非晶态的MoO3，掺插于晶态Ni3S2纳米薄片之间。本发明材料一方面继承了晶态Ni3S2的高导电性，另一方面非晶态MoO3的无定型结构可能加速电荷的转移，从而促进电化学反应的进行，实现了高比电容。
公开/授权文献:
- CN111540609B 一种用于超级电容器的晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法 公开/授权日：2021-04-30