基本信息:
- 专利标题： 基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用
- 申请号：CN202010498788.9 申请日：2020-06-04
- 公开(公告)号：CN111525029B 公开(公告)日：2023-09-22
- 发明人： 闫小兵 , 王宏 , 王淑芳
- 申请人： 河北大学
- 申请人地址： 河北省保定市五四东路180号河北大学
- 专利权人： 河北大学
- 当前专利权人： 河北大学
- 当前专利权人地址： 河北省保定市五四东路180号河北大学
- 代理机构： 石家庄国域专利商标事务所有限公司
- 代理人： 张莉静
- 主分类号： H10N70/20
- IPC分类号： H10N70/20
摘要：
本发明提供了一种基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用。该仿生器件由掺铌钛酸锶（NSTO）衬底、硒化锡（SnSe）功能层和Pd顶电极层共同构成。本发明高质量SnSe层和Pd层分别是应用脉冲激光沉积和磁控溅射技术制备得出。本发明中的仿生物突触器件选用SnSe薄膜作为功能层，SnSe薄膜在外电场作用时较易形成Sn和Se缺陷，使得器件能够形成较稳定的Pd导电细丝。因此，本发明中的器件不仅能在“RESET”和“SET”区域较好地模拟神经突触增强和抑制特性，而且降低了其开关电压的离散性。
公开/授权文献:
- CN111525029A 基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用 公开/授权日：2020-08-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N70/00 | 无电势跳跃势垒或表面势垒、特别适用于整流、放大、振荡或开关的固态器件 |
| --------H10N70/20 | .多稳态开关器件，例如忆阻器 |