基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法
- 申请号：CN202010238731.5 申请日：2020-03-30
- 公开(公告)号：CN111524796A 公开(公告)日：2020-08-11
- 发明人： 张红丹 , 焦倩倩 , 刘瑞 , 吴昊 , 李玲 , 赛朝阳 , 吴军民 , 金锐 , 汤广福
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网北京市电力公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网北京市电力公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L21/04
- IPC分类号： H01L21/04 ; H01L21/265 ; H01L21/311
摘要：
本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/04 | ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层 |