基本信息:
- 专利标题： 基于TMR隧道磁阻的多导体电流测量系统
- 申请号：CN202010366631.0 申请日：2020-04-30
- 公开(公告)号：CN111521857A 公开(公告)日：2020-08-11
- 发明人： 王邦彦 , 魏邦达 , 张又文 , 杨帆
- 申请人： 重庆大学
- 申请人地址： 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 专利权人： 重庆大学
- 当前专利权人： 重庆大学
- 当前专利权人地址： 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 代理机构： 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 胡博文
- 优先权： 2019104595983 20190529 CN
- 主分类号： G01R19/00
- IPC分类号： G01R19/00
摘要：
本发明提供的一种基于TMR隧道磁阻的多导体电流测量系统，包括TMR芯片阵列以及与TMR芯片阵列输出端连接的处理单元；所述TMR芯片阵列包括m个TMR芯片，m个TMR芯片均位于主被测导体的轴向中心线的正下方，m个TMR芯片从上到下依次设置且相邻芯片等间距布置，与主被测导体距离最小的TMR芯片与主被测导体的距离和相邻芯片之间的间距相等，所述处理单元根据TMR芯片输出的电压信号从多导体中得出被测导体的电流；能够针对于高压直流输电系统不同规格、不同用途以及不同电流等级的导体进行准确的电流测量，能够消除多导体对测量的影响，为高压直流输电系统的稳定运行提供有力的保障。
公开/授权文献:
- CN111521857B 基于TMR隧道磁阻的多导体电流测量系统 公开/授权日：2021-05-25
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R19/00 | 用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置 |