基本信息:
- 专利标题： 中频接触器触头结构、接触器及方法
- 申请号：CN202010369991.6 申请日：2020-04-30
- 公开(公告)号：CN111508779B 公开(公告)日：2021-05-28
- 发明人： 纽春萍 , 李忠翔 , 刘爱强 , 何海龙 , 吴翊 , 荣命哲 , 陈均
- 申请人： 西安交通大学 , 贵州天义电器有限责任公司
- 申请人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号;
- 专利权人： 西安交通大学,贵州天义电器有限责任公司
- 当前专利权人： 西安交通大学,贵州天义电器有限责任公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号;
- 代理机构： 北京中济纬天专利代理有限公司
- 代理人： 覃婧婵
- 主分类号： H01H50/54
- IPC分类号： H01H50/54 ; H01H73/18 ; H01H11/04
摘要：
公开了中频接触器触头结构、接触器及方法，中频接触器触头结构中，静触头基座包括空腔，动触头基座位于所述静触片上方，动触片设在所述动触头基座的下表面且相对所述静触片间隔设置以形成间隙，铜连接件螺栓连接绝缘连接件，用于电气连接的铜连接件经由中频电流产生交变磁场，连杆机构连接件配置成连接连杆以致所述动触头部分运动使得动触片接触所述静触片，四个增磁块分别设在绝缘壳体内侧且避免接触所述静触头部分和动触头部分，其中，所述四个增磁块起导磁作用以增强所述间隙之间的磁场，使得电弧在磁场作用下朝灭弧空间吹弧。
公开/授权文献:
- CN111508779A 中频接触器触头结构、接触器及方法 公开/授权日：2020-08-07