基本信息:
- 专利标题： 一种双层WS2/MoS2横向异质结材料、制备方法及应用
- 申请号：CN202010214666.2 申请日：2020-03-24
- 公开(公告)号：CN111501012A 公开(公告)日：2020-08-07
- 发明人： 赵武 , 孙筱彬 , 许曼章 , 余邵佳 , 郭昱希 , 张志勇 , 闫军锋 , 李强 , 翟春雪 , 王雪文
- 申请人： 西北大学
- 申请人地址： 陕西省西安市太白北路229号
- 专利权人： 西北大学
- 当前专利权人： 西北大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白北路229号
- 代理机构： 西安恒泰知识产权代理事务所
- 代理人： 李婷; 金艳婷
- 主分类号： C23C16/30
- IPC分类号： C23C16/30 ; C23C16/448 ; C23C16/02 ; H01L31/032 ; H01L31/18 ; H01L31/109
摘要：
本发明公开了一种双层WS2/MoS2横向异质结材料、制备方法及应用，将WO3粉、MoO3粉和NaCl固体颗粒混合研磨得到氧化物前驱体混合物，将氧化物前驱体混合物放置在石英管炉膛内800～810℃的温度区间，将衬底放置在氧化物前驱体混合物的正上方，衬底的氧化面朝下，将硫粉放置在石英管炉膛内140～160℃的温度区间，在保护气氛、压强为-0.1～-0.05Mpa下反应8～10min，在衬底上沉积双层WS2/MoS2横向异质结材料。本发明采用一步法合成WS2/MoS2横向异质结，无需使用模板，工艺简单且成本低廉。WS2/MoS2横向异质结为双层薄膜结构，且形貌清晰、异质结界面分界明显，薄膜材料的态密度更大，在场效应应用中产生多个导通通道，能够产生相当大的驱动电流，在气敏传感器、太阳能电池、光电探测器等方面具有广阔的应用前景。
公开/授权文献:
- CN111501012B 一种双层WS2/MoS2横向异质结材料、制备方法及应用 公开/授权日：2021-06-01