基本信息:
- 专利标题： 一种In2Te5单晶及其制备方法
- 申请号：CN202010453439.5 申请日：2020-05-26
- 公开(公告)号：CN111441080B 公开(公告)日：2021-03-16
- 发明人： 王道爱 , 于童童 , 周峰
- 申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所 , 青岛市资源化学与新材料研究中心(中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心)
- 申请人地址： 甘肃省兰州市城关区天水中路18号;
- 专利权人： 中国科学院兰州化学物理研究所,青岛市资源化学与新材料研究中心(中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心)
- 当前专利权人： 中国科学院兰州化学物理研究所,青岛市资源化学与新材料研究中心(中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心)
- 当前专利权人地址： 甘肃省兰州市城关区天水中路18号;
- 代理机构： 北京高沃律师事务所
- 代理人： 赵晓琳
- 主分类号： C30B9/06
- IPC分类号： C30B9/06 ; C30B29/46 ; C30B29/64 ; C30B35/00
摘要：
本发明涉及单晶制备技术领域，尤其涉及一种In2Te5单晶及其制备方法、In2Te5单晶薄膜及其制备方法与应用。所述In2Te5单晶的制备方法包括：将金属In和单质Te混合，得到混合原料；所述金属In和单质Te的摩尔比为1:5～10；将所述混合原料在真空条件下进行合成反应，所述合成反应的温度为720～750K；然后将反应所得体系降温至670～700K进行固液分离，得到In2Te5单晶。本发明制备的In2Te5单晶尺寸大、质量好，可用于制备高质量的In2Te5单晶薄膜，制得的In2Te5单晶薄膜可应用于光电探测器件、可饱和吸收体、润滑添加剂等领域。
公开/授权文献:
- CN111441080A 一种In2Te5单晶及其制备方法、In2Te5单晶薄膜及其制备方法与应用 公开/授权日：2020-07-24