基本信息:
- 专利标题： 半导体元件及其制作方法
- 申请号：CN201811612412.5 申请日：2018-12-27
- 公开(公告)号：CN111384237A 公开(公告)日：2020-07-07
- 发明人： 王慧琳 , 侯泰成 , 高苇昕 , 蔡馥郁 , 谢晋阳 , 翁宸毅 , 张境尹 , 蔡滨祥 , 李昆儒 , 李志岳 , 吕佳霖 , 陈俊隆 , 廖琨垣 , 赖育聪 , 黄伟豪
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L43/12
- IPC分类号： H01L43/12 ; H01L43/08 ; H01L27/22
摘要：
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一超低介电常数介电层于第一MTJ上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第一超低介电常数介电层并形成一受损层于第一超低介电常数介电层上，再形成一第二超低介电常数介电层于该受损层上。
公开/授权文献:
- CN111384237B 半导体元件及其制作方法 公开/授权日：2023-07-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/12 | .专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |