基本信息:
- 专利标题： 智能高灵敏光耦隔离芯片传感前端用的光电雪崩二极管
- 申请号：CN202010272468.1 申请日：2020-04-09
- 公开(公告)号：CN111326598A 公开(公告)日：2020-06-23
- 发明人： 姜岩峰 , 全庆霄 , 王辉 , 王嫚
- 申请人： 无锡豪帮高科股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市胡埭镇胡阳路1号
- 专利权人： 无锡豪帮高科股份有限公司
- 当前专利权人： 无锡豪帮高科股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市胡埭镇胡阳路1号
- 代理机构： 江阴市轻舟专利代理事务所
- 代理人： 曹键
- 主分类号： H01L31/107
- IPC分类号： H01L31/107 ; H01L31/0352
摘要：
本发明涉及智能高灵敏光耦隔离芯片传感前端用的光电雪崩二极管，其特征在于它包括基板，所述基板内设置有深N阱、第一P阱以及第二P阱，所述深N阱的横截面形状为山字形，所述深N阱包括底部的横段以及横段上向上伸出的三个竖段，三个竖段从左向右分别为第一竖段、第二竖段、第三竖段，第一P阱位于第一竖段和第二竖段之间，第二P阱位于第二竖段和第三竖段之间。本发明结构兼容标准CMOS工艺，可与CMOS电路集成，可用于红外及可见光(300nm至950nm)波长的光电探测系统中。此结构在兼容CMOS工艺的同时，实现了较高的内部增益，达到了良好的光电探测性能指标，具有体积小、灵敏度高、响应速度快和带宽大等优点。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/10 | ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管 |
| ------------H01L31/101 | ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件 |
| --------------H01L31/102 | ....仅以一个势垒或面垒为特征的 |
| ----------------H01L31/107 | .....以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管 |