基本信息:
- 专利标题： 半导体元件及其制作方法
- 申请号：CN201811503263.9 申请日：2018-12-10
- 公开(公告)号：CN111293072A 公开(公告)日：2020-06-16
- 发明人： 林大钧 , 蔡滨祥 , 杨晋嘉
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/48 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属内连线于一金属间介电层内，然后进行一处理制作工艺粗糙化第一金属内连线上表面，再形成一纳米碳管接面(carbon nanotube junction,CNT)于该第一金属内连线上。依据本发明一实施例处理制作工艺另包含形成多个突块于该第一金属内连线上表面，其中该等突块以及第一金属内连线包含相同材料。
公开/授权文献:
- CN111293072B 半导体元件及其制作方法 公开/授权日：2023-06-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |