基本信息:
- 专利标题： 半导体制造方法及工艺腔室
- 申请号：CN201911216151.X 申请日：2019-12-02
- 公开(公告)号：CN111261550A 公开(公告)日：2020-06-09
- 发明人： 王兴翔 , 林钰翔 , 彭杏威 , 邱碧云 , 蔡妙欣 , 陈韦达 , 陈青宏 , 黄正义
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 聂慧荃; 闫华
- 优先权： 62/773,654 2018.11.30 US
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/3213 ; G03F7/42
摘要：
一种半导体制造方法及工艺腔室。在一实施例中，一种半导体制造方法，包括在工艺腔室内接收在金属层上方具有光刻胶遮罩的晶圆，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。
公开/授权文献:
- CN111261550B 半导体制造方法及工艺腔室 公开/授权日：2023-03-31
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |