基本信息:
- 专利标题： 一种基于磁控溅射的挠性覆铜工艺
- 申请号：CN202010048096.4 申请日：2020-01-16
- 公开(公告)号：CN111254400A 公开(公告)日：2020-06-09
- 发明人： 屠国力 , 田楠 , 张国亮 , 丁璇 , 姜鹏飞 , 李学银 , 王晋锋
- 申请人： 武汉依麦德新材料科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城A5北区4栋7层701单元39座
- 专利权人： 武汉依麦德新材料科技有限责任公司
- 当前专利权人： 武汉依麦德新材料科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城A5北区4栋7层701单元39座
- 代理机构： 武汉智嘉联合知识产权代理事务所
- 代理人： 赵泽夏
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/20 ; C08G73/10 ; C08L79/08 ; C08J5/18
摘要：
本发明公开了一种基于磁控溅射的挠性覆铜工艺，其步骤包括：在衬底上依次制备一次交联薄膜和二次交联薄膜，自然冷却后，采用磁控溅射法，于所述二次交联薄膜表面溅射沉积导电线路。本发明通过控制亚胺化反应和交联反应的温度变化速率，使两次所制得的交联薄膜的表面粗糙度产生差异，使较粗糙的二次交联薄膜表面更易溅射沉积金属，且沉积效果牢固，采用磁控溅射所做出的金属层也更加轻薄；同时两次所制得的交联薄膜的热膨胀系数维持在较低水平，有利于金属的长期附着。
公开/授权文献:
- CN111254400B 一种基于磁控溅射的挠性覆铜工艺 公开/授权日：2022-04-22