基本信息:
- 专利标题： 一种碲化镉晶体的低温液相制备方法
- 申请号：CN202010129310.9 申请日：2020-02-28
- 公开(公告)号：CN111204718A 公开(公告)日：2020-05-29
- 发明人： 陈道理 , 杨绪勇 , 委福祥
- 申请人： 盱眙新远光学科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省淮安市马坝镇文明东路1188号
- 专利权人： 盱眙新远光学科技有限公司
- 当前专利权人： 盱眙新远光学科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省淮安市马坝镇文明东路1188号
- 主分类号： C01B19/04
- IPC分类号： C01B19/04 ; B82Y40/00
摘要：
本发明提供一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，包括以下步骤：步骤(1).将高纯碲及高纯镉按照质量配比4∶6的比例混合，加入质量分数为高纯碲及高纯镉总量1-5％的纳米碲化镉；步骤(2).将上述原料进行球磨混料，使高纯碲、高纯镉及纳米碲化镉均匀混合；步骤(3).将上述混合均匀的原料装入高温炉，设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉化学液相反应，形成晶体；步骤(4).将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体，并用真空封装机封口。本发明不会对环境和工作人员的健康造成损害，更不会导致碲化镉分解，反应过程充分，制成的碲化镉晶体纯度高，质量好，稳定性高。