基本信息:
- 专利标题： 一种功率芯片终端结构、功率芯片终端结构的制作方法和装置
- 申请号：CN201911250604.0 申请日：2019-12-09
- 公开(公告)号：CN111129110A 公开(公告)日：2020-05-08
- 发明人： 董少华 , 金锐 , 刘江 , 高明超 , 刘钺杨 , 和峰 , 王耀华 , 李立 , 吴军民 , 潘艳
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/40 ; H01L29/739 ; H01L29/78 ; H01L29/868 ; H01L21/329 ; H01L21/331 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供一种功率芯片终端结构、功率芯片终端结构的制作方法和装置，在N型衬底(1)的正面形成P型场限环(2)、截止环(4)和氧化层；在P型场限环(2)、截止环(4)上设置引线孔，基于引线孔在氧化层的正面形成内置场板(6)和截止环金属(9)；在氧化层、内置场板(6)和截止环金属(9)的正面形成钝化层(7)，终端结构不易失效；本发明中内置场板(6)的长度要求不高，降低了设计难度和复杂度；本发明提高了终端结构抗表面电荷玷污能力，降低了功率芯片对电荷的敏感性，进而提高了终端结构的可靠性；本发明工艺简单，与功率芯片传统制造工艺兼容，可实施性强；本发明适用于IGBT、VDMOS、FRD等多种功率芯片。