基本信息:
- 专利标题： 一种相变储能材料的改性方法
- 申请号：CN201911426158.4 申请日：2019-12-31
- 公开(公告)号：CN111117575A 公开(公告)日：2020-05-08
- 发明人： 殷忠义 , 薛伟锋 , 王磊 , 谢标 , 方良超 , 陈奇海 , 方天宇 , 孙晓伟
- 申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
- 申请人地址： 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号
- 代理机构： 合肥昊晟德专利代理事务所
- 代理人： 王林
- 主分类号： C09K5/06
- IPC分类号： C09K5/06
摘要：
本发明公开一种相变储能材料的改性方法，包括以下步骤；制备骨架材料：对所述骨架材料进行陶瓷增韧：对所述骨架材料进行催化生长碳纳米管和石墨烯：对所述骨架材料进行高温处理：对所述骨架材料进行封装并循环填充相变材料；本发明生成的相变材料体系密度低，体系密度可控制在小于0.9g/cm3范围以内，改性后相变储能材料体系热导率达到40W/(m·K)～120W/(m·K)，提高了相变材料的储能效率，并且通过改变工艺，控制改性材料的密度、强度与热导率，从而调节相变系统的热导率与密度。