基本信息:
- 专利标题： 半导体装置
- 申请号：CN201980004052.7 申请日：2019-01-28
- 公开(公告)号：CN111052357B 公开(公告)日：2023-12-19
- 发明人： 伊藤太一
- 申请人： 富士电机株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨敏; 金玉兰
- 优先权： 2018-052939 2018.03.20 JP
- 国际申请： PCT/JP2019/002611 2019.01.28
- 国际公布： WO2019/181198 JA 2019.09.26
- 进入国家日期： 2020-02-24
- 主分类号： H01L23/36
- IPC分类号： H01L23/36 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要：
抑制连接端子被加热而抑制可靠性降低。配置有半导体元件(12)的主陶瓷电路基板(11)与配置有连接端子(22、32)的副陶瓷电路基板(21、31)分离地独立。因此，在半导体元件(12)产生的热介由下部的主陶瓷电路基板(11)和基板(40)之后，进一步介由副陶瓷电路基板(21、31)而向连接端子(22、32)传导。即，与连接端子(22、32)和半导体元件(12)配置于同一陶瓷电路基板的情况相比，来自半导体元件(12)的热不易被传导。
公开/授权文献:
- CN111052357A 半导体装置 公开/授权日：2020-04-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/36 | ..为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器 |