基本信息:
- 专利标题： 基板处理方法以及基板处理装置
- 申请号：CN201880053240.4 申请日：2018-07-31
- 公开(公告)号：CN111052315B 公开(公告)日：2024-02-20
- 发明人： 大泽瑞树 , 戎居博志
- 申请人： 株式会社斯库林集团
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 株式会社斯库林集团
- 当前专利权人： 株式会社斯库林集团
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 宋晓宝; 向勇
- 国际申请： PCT/JP2018/028678 2018.07.31
- 国际公布： WO2019/044334 JA 2019.03.07
- 进入国家日期： 2020-02-17
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304
摘要：
一种基板处理方法，包含：基板旋转工序，使被保持成水平的基板绕着在铅垂方向延伸的旋转轴线旋转；对向构件配置工序，使从上方与所述基板对向且包含了具有在俯视观察时围绕所述基板的内周面的延伸设置部的对向构件配置于以下位置：所述延伸设置部的内周面从以所述旋转轴线作为中心的径向的外方与所述基板对向的位置；对向构件旋转工序，使所述对向构件绕着所述旋转轴线旋转；处理液供给工序，对旋转状态的所述基板的上表面供给处理液；以及防护罩配置工序，根据所述处理液对于所述延伸设置部的内周面的亲和性，将防护罩配置于承接从所述基板的上表面朝向所述径向的外方飞散的所述处理液的高度位置，所述防护罩在俯视观察时在所述延伸设置部的所述径向的外方围绕所述基板。
公开/授权文献:
- CN111052315A 基板处理方法以及基板处理装置 公开/授权日：2020-04-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |