基本信息:
- 专利标题： 破坏试验装置和碎片回收方法
- 申请号：CN201910869125.0 申请日：2019-09-16
- 公开(公告)号：CN110970316B 公开(公告)日：2024-11-15
- 发明人： 松崎荣 , 野村祐太朗
- 申请人： 株式会社迪思科
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社迪思科
- 当前专利权人： 株式会社迪思科
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 乔婉; 于靖帅
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/67 ; H01L21/677
摘要：
提供破坏试验装置和碎片回收方法。破坏试验装置具有：芯片破坏单元，其能够将芯片破坏；和碎片回收单元，其配设在芯片破坏单元的下方，在正面上具有对被芯片破坏单元破坏的芯片的碎片进行保持的碎片保持面，芯片破坏单元按照使要被破坏的芯片的破坏起点面对碎片回收单元的碎片保持面的方式将芯片破坏。碎片回收单元的碎片保持面可以沿着水平面。芯片破坏单元可以具有芯片夹持单元和移动单元，芯片夹持单元具有：第一芯片支承部，其具有沿着铅垂方向的第一面；和第二芯片支承部，其具有与第一面面对的沿着铅垂方向的第二面，芯片夹持单元对弯曲成U字状的芯片进行夹持，移动单元使第一芯片支承部和第二芯片支承部向相互接近的方向相对移动。
公开/授权文献:
- CN110970316A 破坏试验装置和碎片回收方法 公开/授权日：2020-04-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |