基本信息:
- 专利标题： 用于运用反向温度系数延迟控制DRAM字线的设备和方法
- 申请号：CN201910827428.6 申请日：2019-09-03
- 公开(公告)号：CN110910927A 公开(公告)日：2020-03-24
- 发明人： 朱杨松 , 野口英和
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王龙
- 优先权： 16/133,598 2018.09.17 US
- 主分类号： G11C11/4076
- IPC分类号： G11C11/4076 ; G11C7/04 ; G11C8/08
摘要：
本申请涉及用于运用反向温度系数延迟控制DRAM字线的设备和方法。公开了用于字线关断信号与去激活所述字线之间的温度相依延迟的设备和方法。存储器装置在相对冷的温度下操作时的可靠性可能下降，这可部分地归因于写入恢复时间的增加，而字线去激活的定时保持相对不受影响。在本公开的一些实施例中，延迟电路用以在发出字线关断命令与去激活所述字线之间插入温度相依延迟。所述延迟电路可在相对冷的温度下增大温度相依延迟的长度，并在相对暖的温度下减小所述延迟的长度。
摘要（英）：
Apparatuses and methods for a temperature dependent delay between a wordline off signal and deactivating the wordline are disclosed. Memory devices may have reduced reliability when operating at relatively cold temperatures, which may be due in part to an increase in the write recovery time while the timing for a wordline to deactivate remains relatively unaffected. In some embodiments of the present disclosure, a delay circuit is used to insert a temperature dependent delay between a wordline off command being issued and the wordline being deactivated. The delay circuit may increase the length of temperature dependent delay at relatively cold temperatures, and decrease the length of the delay at relatively warm temperatures.
公开/授权文献:
- CN110910927B 用于运用反向温度系数延迟控制DRAM字线的设备和方法 公开/授权日：2023-11-14
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/4063 | .....辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的 |
| ------------G11C11/407 | ......用于场效应型存储单元的 |
| --------------G11C11/4076 | .......定时电路 |