基本信息:
- 专利标题： 半导体形成装置
- 申请号：CN201910816858.8 申请日：2019-08-30
- 公开(公告)号：CN110875178B 公开(公告)日：2022-05-24
- 发明人： 黄威瀚 , 谭伦光
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 黄艳; 郑特强
- 优先权： 62/726,034 20180831 US 16/551,328 20190826 US
- 主分类号： H01L21/268
- IPC分类号： H01L21/268 ; H01L21/266 ; H01L21/324 ; H01L21/67 ; H01J37/30 ; H01J37/317
摘要：
提供了半导体形成装置及半导体装置的形成方法。此处所述的系统与方法用于可变且动态控制可变开口遮罩单元，以定义、隔离、及/或遮罩掺质布植及/或热退火工艺的扩散区域，其可用于生产进阶半导体装置的晶圆制作中。可动态放置多个隔离材料平板，以定义多个隔离材料平板的边缘之间的可变遮罩开口的尺寸、位置、与形状。隔离材料平板可连接于联合的一对载具之间。载具耦接至可变装置遮罩单元的两侧上的一组平行轨道，并可沿着平行的轨道移动。
公开/授权文献:
- CN110875178A 半导体形成装置 公开/授权日：2020-03-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/268 | ......应用电磁辐射的，例如激光辐射 |