基本信息:
- 专利标题： 一种静态随机存储器SRAM单元以及相关装置
- 申请号：CN201811014610.1 申请日：2018-08-31
- 公开(公告)号：CN110875071B 公开(公告)日：2022-05-10
- 发明人： 许晗 , 乔飞 , 郑淼
- 申请人： 华为技术有限公司 , 清华大学
- 申请人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼;
- 专利权人： 华为技术有限公司,清华大学
- 当前专利权人： 华为技术有限公司,清华大学
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼;
- 主分类号： G11C11/412
- IPC分类号： G11C11/412 ; G11C11/419
摘要：
一种静态随机存储器SRAM单元以及相关装置，以降低访问SRAM存储器时SRAM的功耗。所述SRAM单元位于SRAM存储器中，SRAM存储器包括由多个所述SRAM单元构成的SRAM存储阵列，所述SRAM单元包括：存储电路，分别与写入电路和读出电路连接，用于存储数据；写入电路，用于向存储电路中写入数据；读出电路，用于在读使能信号有效后使得SRAM单元连接的读位线上的数据为存储电路中存储的数据，其中，当SRAM单元所在的列中存储第一数据的SRAM单元的第一个数大于存储第二数据的SRAM单元的第二个数时，读位线被预充电到高电平；当第一个数小于第二个数时，读位线被预放电到低电平。
公开/授权文献:
- CN110875071A 一种静态随机存储器SRAM单元以及相关装置 公开/授权日：2020-03-10
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/412 | .....只使用场效应晶体管的 |