基本信息:
- 专利标题： 半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法
- 申请号：CN201880046032.1 申请日：2018-07-09
- 公开(公告)号：CN110869543A 公开(公告)日：2020-03-06
- 发明人： 仓又朗人 , 渡边信也 , 佐佐木公平 , 八木邦明 , 八田直记 , 东胁正高 , 小西敬太
- 申请人： 株式会社田村制作所 , 株式会社希克斯 , 国立研究开发法人情报通信研究机构
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社田村制作所,株式会社希克斯,国立研究开发法人情报通信研究机构
- 当前专利权人： 株式会社田村制作所,株式会社希克斯,国立研究开发法人情报通信研究机构
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市隆安律师事务所
- 代理人： 徐谦; 刘宁军
- 优先权： 2017-135017 2017.07.10 JP
- 国际申请： PCT/JP2018/025900 2018.07.09
- 国际公布： WO2019/013170 JA 2019.01.17
- 进入国家日期： 2020-01-09
- 主分类号： C30B29/16
- IPC分类号： C30B29/16 ; C30B33/06 ; H01L21/02 ; H01L21/336 ; H01L29/12 ; H01L29/78 ; H01L29/872
摘要：
提供一种半导体基板(1)，其是由单晶Ga2O3系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的，单晶Ga2O3系基板(10)的厚度薄于多晶基板(11)的厚度，多晶基板(11)的断裂韧性值高于单晶Ga2O3系基板(10)的断裂韧性值。
摘要（英）：
Provided is a semiconductor substrate 1 wherein: a single crystal Ga2O3substrate 10 and a polycrystalline substrate 11 are bonded with each other; the thickness of the single crystal Ga2O3substrate 10 is thinner than the thickness of the polycrystalline substrate 11; and the fracture toughness value of the polycrystalline substrate 11 is higher than the fracture toughness value of the single crystal Ga2O3substrate 10.