基本信息:
- 专利标题： 极紫外光光罩及其制造方法
- 专利标题（英）：EXTREME ULTRAVIOLET MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 申请号：CN201910700227.X 申请日：2019-07-31
- 公开(公告)号：CN110780532A 公开(公告)日：2020-02-11
- 发明人： 陈铭锋 , 周硕彦
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国
- 优先权： 62/712,728 2018.07.31 US
- 主分类号： G03F1/22
- IPC分类号： G03F1/22 ; G03F1/54
摘要：
一种极紫外光光罩包括吸收层，具有折射率范围为0.87至1.02、消光系数范围为0.065至0.085、以及厚度范围为33.5nm至43.5nm。另一种极紫外光光罩包括吸收层，具有折射率范围为0.87至1.02、消光系数范围为0.085至0.105、以及厚度范围为25.5nm至35.5nm。另一个极紫外光光罩包括吸收层，具有折射率范围0.895至0.950、消光系数范围为0.0600至0.0610、以及厚度范围从30nm至39nm或者50nm至55nm。
摘要（英）：
An extreme ultraviolet mask includes an absorber having an index of refraction ranging from 0.87 to 1.02, an extinction coefficient ranging from 0.065 to 0.085, and a thickness ranging from 33.5 nm to43.5 nm. Another extreme ultraviolet mask includes an absorber having an index of refraction ranging from 0.87 to 1.02, an extinction coefficient ranging from 0.085 to 0.105, and a thickness rangingfrom 25.5 nm to 35.5 nm. Another extreme ultraviolet mask includes an absorber having an index of refraction ranging from 0.895 to 0.950, an extinction coefficient ranging from 0.0600 to 0.0610, and athickness ranging from 30 nm to 39 nm or 50 nm to 55 nm.