基本信息:
- 专利标题： 一种三维存储器及其制作方法
- 申请号：CN201911030563.4 申请日：2019-10-28
- 公开(公告)号：CN110752214B 公开(公告)日：2022-09-27
- 发明人： 耿万波 , 薛磊 , 刘庆波 , 薛家倩 , 姚兰 , 刘小欣
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 张静
- 主分类号： H01L27/1157
- IPC分类号： H01L27/1157 ; H01L27/11578
摘要：
本申请实施例公开了一种三维存储器及其制作方法，该制作方法先在衬底和堆叠结构之间形成第一牺牲层，然后在所述堆叠结构形成通道结构和栅线缝隙等结构后，去除所述第一牺牲层，并填充外延结构，使得外延结构形成在所述第一牺牲层所在的区域，即不再将所述外延结构形成在通道孔的底部，而是将外延结构形成在衬底表面以及通道结构中第一导电层朝向所述存储层一侧的部分侧壁区域，从而在保证所述外延结构与所述通道结构中的第一导电层电连接的基础上，降低所述外延结构的工艺难度，提高所述外延结构的一致性。
公开/授权文献:
- CN110752214A 一种三维存储器及其制作方法 公开/授权日：2020-02-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11568 | ........以存储器核心区为特征的 |
| ------------------------H01L27/1157 | .........具有单元选择晶体管的，例如，NAND |