基本信息:
- 专利标题： 压电超声波传感器及其制备方法、显示装置
- 申请号：CN201911014162.X 申请日：2019-10-23
- 公开(公告)号：CN110739388B 公开(公告)日：2023-06-30
- 发明人： 李佩笑 , 王海生 , 刘英明 , 韩艳玲 , 姬雅倩 , 张晨阳 , 郭玉珍 , 赵利军
- 申请人： 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构： 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理人： 佘新育
- 主分类号： H10N30/80
- IPC分类号： H10N30/80 ; H10N30/01
摘要：
本发明提供一种压电超声波传感器及其制备方法、显示装置，涉及超声波传感器技术领域，能够提高压电超声波传感器的散热效率和散热性能。其中的压电超声波传感器包括：柔性衬底，设置于柔性衬底一侧的压电功能层；沿柔性衬底的厚度方向，压电功能层包括层叠的第一电极层、第一压电层和第二电极层；第一压电层位于第一电极层和第二电极层之间，且相对第二电极层，第一电极层更靠近柔性衬底；第一压电层的材料为压电材料；压电超声波传感器还包括：设置于压电功能层靠近柔性衬底一侧的导热层，导热层与柔性衬底以及压电功能层接触，且导热层与第一电极层相互绝缘；导热层的材料的热导率大于柔性衬底的材料的热导率。
公开/授权文献:
- CN110739388A 压电超声波传感器及其制备方法、显示装置 公开/授权日：2020-01-31
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N30/00 | 压电或电致伸缩器件 |
| --------H10N30/80 | .结构零部件 |