基本信息:
- 专利标题： 一种制备二维氢化硼纳米片的方法
- 申请号：CN201911070322.2 申请日：2019-11-05
- 公开(公告)号：CN110734074B 公开(公告)日：2023-10-20
- 发明人： 台国安 , 侯闯
- 申请人： 南京航空航天大学
- 申请人地址： 江苏省南京市秦淮区御道街29号
- 专利权人： 南京航空航天大学
- 当前专利权人： 南京航空航天大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市秦淮区御道街29号
- 代理机构： 南京知识律师事务所
- 代理人： 高玲玲
- 主分类号： C01B35/00
- IPC分类号： C01B35/00
摘要：
本发明公开了一种二维氢化硼纳米片的方法，包括以下步骤：将硼源置于真空反应炉中，在还原性气氛中，通过严格的两步或三步分段升温程序，在无金属基底条件下，于石英舟中获得高产量、超稳定的二维氢化硼纳米片。本发明采用分步升温方式，在无金属基底或其他外延基底情况下，通过两步或三步分段加热法可控分解固体硼源方式以获得氢化硼纳米片，从而提供了一种制备高产量、超稳定二维氢化硼纳米片的方法。本方法得到的二维氢化硼纳米片可应用于多个技术领域，包括太阳能电池、能量存储和转换器件、晶体管器件、传感器和忆阻器。
公开/授权文献:
- CN110734074A 一种制备二维氢化硼纳米片的方法 公开/授权日：2020-01-31