基本信息:
- 专利标题： 一种高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜、制备方法及其应用
- 申请号：CN201911005375.6 申请日：2019-10-22
- 公开(公告)号：CN110724290B 公开(公告)日：2021-08-13
- 发明人： 姚洪岩 , 孙忠晖 , 关绍巍
- 申请人： 吉林大学
- 申请人地址： 吉林省长春市前进大街2699号
- 专利权人： 吉林大学
- 当前专利权人： 吉林大学
- 当前专利权人地址： 吉林省长春市前进大街2699号
- 代理机构： 长春吉大专利代理有限责任公司
- 代理人： 刘世纯; 王恩远
- 主分类号： C08J7/02
- IPC分类号： C08J7/02 ; C08J5/18 ; C08L65/00 ; C08L25/18 ; C08L71/02 ; C08K5/053
摘要：
一种高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜、制备方法及其应用，属于导电高分子材料领域。本发明中高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜的制备方法，其步骤如下，首先将有机掺杂剂加入到PEDOT:PSS水溶液中，搅拌下配成均匀混合溶液；然后该混合溶液滴涂至清洗后的玻璃片上，烘干成膜；再将得到的膜冷却后放在水中浸泡并搅拌；最后将膜从水中取出后，烘干即得到高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜，膜的厚度范围为2～20μm。本发明制备的厚膜的电导率比本征PEDOT:PSS膜提高了1000多倍。这种自支撑PEDOT:PSS厚膜不需要基底，制备方法简单、成本低，厚度具有优良的可调控性，并且具有优异的柔韧性，在柔性电子、热电材料等领域具有巨大的发展潜力和应用价值。
公开/授权文献:
- CN110724290A 一种高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜、制备方法及其应用 公开/授权日：2020-01-24
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08J | 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理 |
| ------C08J7/00 | 高分子物质成形制品的化学处理或涂层 |
| --------C08J7/02 | .用溶剂，如溶胀剂 |