基本信息:
- 专利标题： 半导体装置及其形成方法
- 申请号：CN201811049497.0 申请日：2018-09-10
- 公开(公告)号：CN110707038B 公开(公告)日：2022-03-22
- 发明人： 张峰溢 , 李甫哲 , 张翊菁 , 黄楷珞 , 林盈志 , 林刚毅
- 申请人： 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市;
- 专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市;
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/033
摘要：
本发明公开一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包含基底、栅极结构、第一介电层、第二介电层、第一插塞与两金属导线。基底设置有浅沟槽隔离以在基底上定义出主动区，而栅极结构设置在基底上，覆盖主动区与浅沟槽隔离之间的交界。第一介电层设置在基底上，覆盖栅极结构，第一插塞则设置在第一介电层内，直接接触栅极结构的导电层与主动区。第二介电层，设置在第一介电层上，其中，第一插塞与栅极结构被第一介电层与第二介电层完全覆盖。两金属导线则设置在该第二介电层内。
公开/授权文献:
- CN110707038A 半导体装置及其形成方法 公开/授权日：2020-01-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |