基本信息:
- 专利标题： 存储电路及操作该电路的方法
- 专利标题（英）：MEMORY CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING SAME
- 申请号：CN201910306009.8 申请日：2019-04-16
- 公开(公告)号：CN110660419A 公开(公告)日：2020-01-07
- 发明人： 蔡睿哲 , 李政宏 , 吕士濂
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 李伟
- 优先权： 62/691,745 2018.06.29 US
- 主分类号： G11C7/12
- IPC分类号： G11C7/12 ; G11C7/18 ; G11C11/417
摘要：
本发明的实施例提供了一种存储电路及其操作方法。一种存储电路，包括第一存储单元、第二存储单元、预充电电路和感测放大器。所述预充电电路连接至第一位线和第二位线。所述预充电电路被配置为响应于第一信号而将所述第一位线和所述第二位线充电至预充电电压电平。所述感测放大器通过所述第一位线连接至所述第一存储单元，并且通过所述第二位线连接至所述第二存储单元。所述感测放大器响应第二信号和第三信号。所述第二信号和所述第三信号与所述第一信号不同。
摘要（英）：
The invention provides a memory circuit and a method of operating the same. The memory circuit includes a first memory cell, a second memory cell, a pre-charge circuit and a sense amplifier. The pre-charge circuit is coupled to a first bit line and a second bit line. The pre-charge circuit is configured to charge the first bit line and the second bit line to a pre-charge voltage level responsive to a first signal. The sense amplifier is coupled to the first memory cell by the first bit line, and coupled to the second memory cell by the second bit line. The sense amplifier is responsive to a second signal and a third signal. The second signal and the third signal being different from the first signal.
公开/授权文献:
- CN110660419B 存储电路及操作该电路的方法 公开/授权日：2021-09-24
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C7/00 | 数字存储器信息的写入或读出装置 |
| --------G11C7/12 | .位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路 |