基本信息:
- 专利标题： 一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法
- 申请号：CN201910879324.X 申请日：2019-09-18
- 公开(公告)号：CN110611017B 公开(公告)日：2021-09-17
- 发明人： 孙捷 , 熊访竹 , 郭伟玲 , 董毅博 , 樊星 , 苑营阔
- 申请人： 北京工业大学
- 申请人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人： 北京工业大学
- 当前专利权人： 北京工业大学
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构： 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理人： 沈波
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/44 ; H01L33/62 ; H01L33/64
摘要：
本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂，选用乙炔作为碳源，利用等离子增强技术，低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后，利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中，石墨烯在LED表面直接生长得到，无需转移，器件制备效率大幅提高，工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。
公开/授权文献:
- CN110611017A 一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法 公开/授权日：2019-12-24