基本信息:
- 专利标题： 用于沉积作为铁电材料的硅掺杂氧化铪的制剂
- 申请号：CN201880028468.8 申请日：2018-03-14
- 公开(公告)号：CN110573651B 公开(公告)日：2022-07-22
- 发明人： 雷新建 , M·R·麦克唐纳 , 金武性 , 李世远
- 申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那州
- 专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 当前专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国亚利桑那州
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 吴亦华; 徐志明
- 优先权： 62/471,647 20170315 US 62/477,812 20170328 US 15/914,968 20180307 US
- 国际申请： PCT/US2018/022433 2018.03.14
- 国际公布： WO2018/170126 EN 2018.09.20
- 进入国家日期： 2019-10-29
- 主分类号： C23C16/40
- IPC分类号： C23C16/40 ; C23C16/455
摘要：
在一个方面，本发明是包含有机氨基铪和有机氨基硅烷前体两者的制剂，其允许将含硅片段和含铪片段两者锚定到具有羟基的给定表面上以沉积适合作为铁电材料的具有0.5‑8摩尔％，优选2‑6摩尔％，最优选3‑5摩尔％范围的硅掺杂水平的硅掺杂氧化铪。在另一方面，本发明是使用所述制剂沉积硅掺杂氧化铪膜的方法和系统。
公开/授权文献:
- CN110573651A 用于沉积作为铁电材料的硅掺杂氧化铪的新制剂 公开/授权日：2019-12-13