基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅门极可关断晶闸管
- 申请号：CN201910842029.7 申请日：2019-09-06
- 公开(公告)号：CN110534567B 公开(公告)日：2021-07-27
- 发明人： 陈万军 , 谯彬 , 肖紫嫣 , 高吴昊 , 夏云 , 周琪钧
- 申请人： 电子科技大学
- 申请人地址： 四川省成都市高新西区西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新西区西源大道2006号
- 代理机构： 成都点睛专利代理事务所
- 代理人： 孙一峰
- 主分类号： H01L29/745
- IPC分类号： H01L29/745 ; H01L29/423
摘要：
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管。本发明对常规N型碳化硅GTO的门极区进行改造，在常规的器件P‑门极层13结构下增加了一层掺杂浓度比P‑门极层与N‑漂移区都要高的P型外延层，即(P+gate buffer层)，由于P+门级缓冲层12的存在，一方面可以在门极区快速降低电场强度，避免器件发生串通击穿；另一方面P+门级缓冲层12的存在使得P‑门极层的厚度和掺杂浓度可以明显降低，同时P+门级缓冲层12由于浓度差会形成电场，从而加速N+阴极区7电子的注入，从而获得较快的导通特性。
公开/授权文献:
- CN110534567A 一种碳化硅门极可关断晶闸管 公开/授权日：2019-12-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/744 | .....栅极关断型器件 |
| ------------------H01L29/745 | ......由场效应关断的 |